Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11.3 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, BSZ12DN20NS3 G
- RS-artikelnummer:
- 273-5250
- Tillv. art.nr:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
332,08 kr
(exkl. moms)
415,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 5 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 66,416 kr | 332,08 kr |
| 50 - 495 | 55,418 kr | 277,09 kr |
| 500 - 995 | 47,444 kr | 237,22 kr |
| 1000 - 2495 | 46,592 kr | 232,96 kr |
| 2500 + | 45,718 kr | 228,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5250
- Tillv. art.nr:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | BSZ12DN20NS3 G | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 40mm | |
| Längd | 40mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp PG-TSDSON-8 | ||
Serie BSZ12DN20NS3 G | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 40mm | ||
Längd 40mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en N-kanals effekt-MOSFET. Denna MOSFET har en utmärkt grindladdning. Den är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar och 150 grader Celsius drifttemperatur. Den är optimerad för DC-till-DC-konvertering.
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Mycket lågt motstånd vid påverkan
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11.3 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, BSZ12DN20NS3 G
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 142 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor