Infineon N Kanal, MOSFET, 106 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 273-5247
Tillv. art.nr:: BSZ0902NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 106 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 273-5247
Tillv. art.nr:: BSZ0902NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	106A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	PG-TSDSON-8FL
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	3.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	26nC
	Maximal effektförlust Pd	48W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 106A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp PG-TSDSON-8FL
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC
	Maximal effektförlust Pd 48W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ0902NSATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 106 A maximal kontinuerlig drain-ström - BSZ0902NSATMA1

Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med förstärkningsläge som är utformad för ytmontering i högströmsomkopplings- och effektomvandlingsroller. Den stöder breda drifttemperaturer och är lämplig för konstruktioner som kräver robust värmehantering och minskade ledningsförluster. Enheten överensstämmer med relevanta material- och miljöstandarder samtidigt som den är konfigurerad för kretskortsintegrering med låg profil.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans på 3.5 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• 48 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 26 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkoppling med kontrollerade drivkraftskrav
• Maximal grindspänning på 20 V ger marginal för grinddrivningskonstruktioner
• Klassad drift vid -55 °C till 150 °C stöder ett brett spektrum av termiska miljöer

Användningsområden

• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare och effektsteg
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningskretsar
• Används för motorstyrningssteg som kräver betydande kontinuerlig ström
• Kan användas för batterihantering och distributionsskydd
• Används med kompakta ytmonterade enheter på värmehanterade kort

Vilket paket tillhandahålls för ytmontering med låg profil?

Den levereras i en PG-TSDSON-8FL-kapsel utformad för ytmontering.

Hur hanterar komponenten kortvarig värmestress?

Enheten tillåter en maximal effektförlust på 48 W som styr dess termiska hållbarhet under belastning när tillräcklig kretskortskylning appliceras.

Vilka är de elektriska gränserna för grind- och dräneringsterminaler?

Grinden kan drivas upp till 20 V medan drain-to-source tål upp till 30 V.

Är denna del avsedd för fordonsspecifika tillämpningar?

Den är inte klassad som fordonsklassad men uppfyller RoHS och specificerade IEC- och DIN-miljö- och materialstandarder.