Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PG-TSOP-6, BSL606SN AEC-Q101

Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 1%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

87,36 kr

(exkl. moms)

109,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 2 410 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
10 - 408,736 kr87,36 kr-
50 - 908,579 kr85,79 kr1%
100 - 2406,731 kr67,31 kr22%
250 - 9906,563 kr65,63 kr24%
1000 +4,435 kr44,35 kr49%

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2854
Tillv. art.nr:
BSL606SNH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PG-TSOP-6

Serie

BSL606SN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.7nC

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.5mm

Längd

40mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Bredd

40mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon BSL606SN-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 4,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSL606SNH6327XTSA1


Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är utformad för ytmonterad strömomkoppling i fordonsmiljöer. Den ger måttlig strömhantering och spänningskapacitet med låg framåtriktad spänning, lämplig för styr- och lastswitchande roller inom ett brett omgivningsområde. Enheten är förpackad för kompakt montering och uppfyller fordonsbelastningstestkvalificering för användning i extrema temperaturer.

Funktioner och fördelar:


• Maximal drain-source-spänning på 60 V ger robust spänningshuvudutrymme
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 4.5 A möjliggör måttlig strömomkoppling
• 1,1 V framspänning minimerar ledningsförluster under drift
• 3,7 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsrespons
• Maximal effektförlust på 2 W möjliggör kontinuerlig värmehantering

Användningsområden


• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för omkoppling av DC-laster i styrenheter
• Används med kompakta ytmonteringar som kräver utrymmesbesparing
• Kan användas för lågströmsomkopplingsuppgifter

Vilka begränsningar för grinddrivning bör jag överväga?


Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa, så grinddrivkretsar måste förbli inom denna gräns.

Hur klarar enheten extrema temperaturer?


Den fungerar i temperaturområden från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa omgivnings- och underhusförhållanden.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?


Den är avsedd för ytmontering i en PG-TSOP-6-kapsel för att passa automatiserad kretskortsmontering.

Vilken kanal och vilket läge använder den för omkoppling?


Transistorn använder en n-typ-kanal i förstärkningsläge för konventionellt MOSFET-omkopplingsbeteende.

Finns det specifika industrigodkännanden för fordonsanvändning?


Den överensstämmer med AEC-Q101-kvalificering för godkännande i fordonselektroniktillämpningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.