Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PG-TSOP-6, BSL606SN AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 273-2853
Tillv. art.nr:: BSL606SNH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PG-TSOP-6, BSL606SN AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 257,00 kr

(exkl. moms)

5 322,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 03 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,419 kr	4 257,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 273-2853
Tillv. art.nr:: BSL606SNH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	BSL606SN
	Kapseltyp	PG-TSOP-6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.7nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	40mm
	Bredd	40mm
	Standarder/godkännanden	AEC-Q101
	Höjd	1.5mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie BSL606SN
	Kapseltyp PG-TSOP-6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.7nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 40mm
	Bredd 40mm
	Standarder/godkännanden AEC-Q101
	Höjd 1.5mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - BSL606SNH6327XTSA1

Infineon BSL606SN-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 4,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSL606SNH6327XTSA1

Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är utformad för ytmonterad strömomkoppling i fordonsmiljöer. Den ger måttlig strömhantering och spänningskapacitet med låg framåtriktad spänning, lämplig för styr- och lastswitchande roller inom ett brett omgivningsområde. Enheten är förpackad för kompakt montering och uppfyller fordonsbelastningstestkvalificering för användning i extrema temperaturer.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-source-spänning på 60 V ger robust spänningshuvudutrymme
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 4.5 A möjliggör måttlig strömomkoppling
• 1,1 V framspänning minimerar ledningsförluster under drift
• 3,7 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsrespons
• Maximal effektförlust på 2 W möjliggör kontinuerlig värmehantering

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för omkoppling av DC-laster i styrenheter
• Används med kompakta ytmonteringar som kräver utrymmesbesparing
• Kan användas för lågströmsomkopplingsuppgifter

Vilka begränsningar för grinddrivning bör jag överväga?

Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa, så grinddrivkretsar måste förbli inom denna gräns.

Hur klarar enheten extrema temperaturer?

Den fungerar i temperaturområden från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa omgivnings- och underhusförhållanden.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?

Den är avsedd för ytmontering i en PG-TSOP-6-kapsel för att passa automatiserad kretskortsmontering.

Vilken kanal och vilket läge använder den för omkoppling?

Transistorn använder en n-typ-kanal i förstärkningsläge för konventionellt MOSFET-omkopplingsbeteende.

Finns det specifika industrigodkännanden för fordonsanvändning?

Den överensstämmer med AEC-Q101-kvalificering för godkännande i fordonselektroniktillämpningar.