Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
268-8358
Tillv. art.nr:
SQ4850CEY-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SQ4850CEY

Typ av fäste

Kretskort

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.031Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.8W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
Vishay fordons-N-kanal TrenchFET-effekt-MOSFET är en blyfri och halogenfri enhet med enkel konfiguration MOSFET och är oberoende av drifttemperatur.

AEC Q101-kvalificerade

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.