Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SiJA
- RS-artikelnummer:
- 268-8323
- Tillv. art.nr:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
135,07 kr
(exkl. moms)
168,84 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 27,014 kr | 135,07 kr |
| 50 - 95 | 24,326 kr | 121,63 kr |
| 100 - 245 | 19,578 kr | 97,89 kr |
| 250 - 995 | 19,22 kr | 96,10 kr |
| 1000 + | 13,284 kr | 66,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8323
- Tillv. art.nr:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 126A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SiJA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0023Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.13mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 126A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8L | ||
Serie SiJA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0023Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.13mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It has flexible leads which provide resilience to mechanical stress. It is used an application as synchronous rectification, dc or ac inverters.
Optimizes switching characteristics
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 126 A 40 V Förbättring PowerPAK SO-8L, SiJA
- Vishay Typ P Kanal 44.4 A 80 V Förbättring SO-8L, SIJ
- Vishay Typ N Kanal 56.7 A 100 V Förbättring SO-8L, SIJ
- Vishay Typ N Kanal 59 A 100 V Förbättring SO-8L, SIJ
- Vishay Typ N Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- Vishay N-kanal Kanal 126 A 40 V Förbättring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 50 A 30 V Förbättring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal 27.8 A 100 V Förbättring PowerPAK SO-8, Si7456DDP