Vishay N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Vishay N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
RS-artikelnummer
268-8320

Var (i ett paket med 2)

100,13 kr

(exkl. moms)

125,16 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
268-8319
Tillv. art.nr:
SIHP150N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

22A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220AB

Serie

SIHP

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.158Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal effektförlust Pd

179W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay SIHP-serien MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 22 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHP150N60E-GE3


Denna n-kanals MOSFET är en högspänningstransistor som är utformad för omkopplings- och förstärkningsuppgifter i krävande elektroniska system. Den fungerar tillförlitligt över ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220AB-kapsel med genomgående hål som är lämplig för konventionell kretskortsmontering. Enheten uppfyller RoHS-direktiven och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande spänningshantering och måttlig strömkapacitet.

Funktioner och fördelar:


• 650 V avtappningsklassning möjliggör användning i högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 22 A stöder kontinuerligt belastningsflöde
• 0,158 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster i strömkanaler
• 36 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara omkopplingsprofiler
• Maximal effektförlust på 179 W klarar betydande värmebelastning

Användningsområden


• Lämplig för primär omkoppling av högspännings-SMPS
• Idealisk för industriella motorväxelriktare
• Används med strömförsörjningar i telekomutjämning
• Kan användas för solcellsväxelriktare

Vilka gränsspänningsgränser bör iakttas under drivkonstruktionen?


Grinden får inte drivas utöver ±30 V i förhållande till källan för att förhindra grindoxidspänning och säkerställa långvarig tillförlitlighet.

Hur påverkar värmehanteringen praktisk strömhantering?


179 W dissipation rating kräver tillräcklig kylelement och ett termiskt gränssnitt för att upprätthålla kopplingstemperaturen under 150 °C max under kontinuerlig belastning.

Vilket omgivningstemperaturområde kan system runt denna enhet förvänta sig?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med extrem kyla och förhöjda termiska förhållanden när den är korrekt monterad.

Hur påverkar enhetens kanalläge kretsbeteendet?


Som en N-kanal-enhet med förstärkningsläge förblir den avstängd vid nollgrindbias och kräver positiv grindstyrning för att leda, vilket förenklar styrning i låg- och hög-sidan-topologier.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.