Vishay N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC, SIHA

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 220,25 kr

(exkl. moms)

1 525,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5024,405 kr1 220,25 kr
100 - 45019,963 kr998,15 kr
500 +16,961 kr848,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
268-8287
Tillv. art.nr:
SIHA150N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8DC

Serie

SIHA

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.158Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal effektförlust Pd

179W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

MOSFET i SIHA-serien från Vishay, 650 V drain-källspänning, 9 A kontinuerlig drain-ström – SIHA150N60E-GE3


Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för kretsar som kräver betydande spänningsutrymme och måttlig konstant ström. Enheten levereras i ett PowerPAK SO-8DC-paket som är lämpligt för kompakta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:


• 650 V drain-to-source-klassning möjliggör högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder måttlig strömförsörjning
• 0,158 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 179 W effektförlust möjliggör hög belastningshantering
• 36 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingskontroll
• ±30 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används för strömhanteringsmoduler för servrar och telekom
• Kan användas för LED-drivenheter som kräver högspänningsomkopplare
• Lämplig för växelriktare och UPS-effektsteg

Vilken monteringsstil kräver den för kretskortsmontering?


Det är en ytmonterad enhet som levereras i en PowerPAK SO-8DC-kapsel, utformad för omsmältningslödning på kretskortsmönster som är kompatibel med SO-8DC-fotavtryck.

Hur uppför sig den i miljöer med utökad temperatur?


Transistorn är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i system som utsätts för låga omgivningsförhållanden och förhöjd intern uppvärmning.

Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?


Grind-till-källspänningen får inte överstiga ±30 V, så grinddrivare bör begränsas inom dessa gränser för att förhindra grind-oxidbelastning.

Vilken standard begränsar farliga ämnen i denna komponent?


Enheten uppfyller RoHS-kraven, vilket anger begränsningar för vissa farliga material under tillverkningen.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.