Vishay N Kanal, MOSFET, 227 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC, SIDR

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
268-8284
Tillv. art.nr:
SIDR626EP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

227A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SIDR

Kapseltyp

PowerPAK SO-8DC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.00174Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

102nC

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

5.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW
Vishays N-kanal TrenchFET generation 4 Power MOSFET har TOP-side-kylningsfunktion som ger ytterligare plats för värmeöverföring. Den används i tillämpningar som synkron likriktering, motorstyrningsomkopplare, batteri- och belastningsomkopplare.

Inställd för den lägsta meritfaktorn

RoHS-kompatibel

100-procentigt UIS-testat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.