ROHM N Kanal, MOSFET, 6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, RF4P060BG

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

32,98 kr

(exkl. moms)

41,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 403,298 kr32,98 kr
50 - 903,235 kr32,35 kr
100 - 2402,536 kr25,36 kr
250 - 9902,482 kr24,82 kr
1000 +1,935 kr19,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
266-3857
Tillv. art.nr:
RF4P060BGTCR
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HUML2020L8

Serie

RF4P060BG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

53mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHMs effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och hög effekt, litet formpaket, lämpligt för omkoppling.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.