ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- RS-artikelnummer:
- 264-564
- Tillv. art.nr:
- UT6KE5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 25 enheter)*
82,55 kr
(exkl. moms)
103,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 725 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 3,302 kr | 82,55 kr |
| 100 - 225 | 3,136 kr | 78,40 kr |
| 250 - 475 | 2,903 kr | 72,58 kr |
| 500 - 975 | 2,67 kr | 66,75 kr |
| 1000 + | 2,576 kr | 64,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-564
- Tillv. art.nr:
- UT6KE5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | UT6 | |
| Kapseltyp | HUML2020L8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 207mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie UT6 | ||
Kapseltyp HUML2020L8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 207mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM 100 V 2, 0 A dubbel N-kanal effekt-MOSFET i ett DFN2020-8D-paket har låg påslagningsresistans, vilket gör den idealisk för omkopplingstillämpningar och DC/DC-omvandlare. Den integrerar två 100 V MOSFET i en kompakt ytmonterad design.
Låg på-resistans
Litet ytomonterat hölje
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- ROHM 2 Typ P Kanal Pch + Pch, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, RF4P060BG
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V, HUML2020L8
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 40 V N, 8 Ben, HUML2020L8, RF4G100BG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 60 V N, 8 Ben, HUML2020L8, RF4L
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 6 Ben, TUMT6, RF6