ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 2 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 25 enheter)*

82,55 kr

(exkl. moms)

103,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per tejp*
25 - 753,302 kr82,55 kr
100 - 2253,136 kr78,40 kr
250 - 4752,903 kr72,58 kr
500 - 9752,67 kr66,75 kr
1000 +2,576 kr64,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-564
Tillv. art.nr:
UT6KE5TCR
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HUML2020L8

Serie

UT6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

207mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

ROHM 100 V 2, 0 A dubbel N-kanal effekt-MOSFET i ett DFN2020-8D-paket har låg påslagningsresistans, vilket gör den idealisk för omkopplingstillämpningar och DC/DC-omvandlare. Den integrerar två 100 V MOSFET i en kompakt ytmonterad design.

Låg på-resistans

Litet ytomonterat hölje

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

Halogenfri

Relaterade länkar