ROHM N Kanal, MOSFET, 50 A 6 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3R02BBH

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

455,80 kr

(exkl. moms)

569,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 959,116 kr
100 - 2457,28 kr
250 - 9957,124 kr
1000 +5,936 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
266-3852P
Tillv. art.nr:
RD3R02BBHTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

6V

Kapseltyp

TO-252

Serie

RD3R02BBH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

81mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.4nC

Maximal effektförlust Pd

50W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHMs effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket, lämplig för omkoppling.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.