ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R6055VNZ
- RS-artikelnummer:
- 265-5423
- Tillv. art.nr:
- R6055VNZC17
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
67,09 kr
(exkl. moms)
83,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 37 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,09 kr |
| 10 - 24 | 60,59 kr |
| 25 - 49 | 59,58 kr |
| 50 - 99 | 58,35 kr |
| 100 + | 57,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-5423
- Tillv. art.nr:
- R6055VNZC17
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-3PF | |
| Serie | R6055VNZ | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.071Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 99W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-3PF | ||
Serie R6055VNZ | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.071Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 99W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Pb-Free Plating, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket som är lämplig för omkopplingskretsar, enkelcellsbatterier och mobila tillämpningar.
Snabb omvänd återhämtningstid (trr)
Låg påslagningsresistans
Snabb kopplingshastighet
Drivkretsar kan vara enkla
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R6055VNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R6077VNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PF, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V N, 3 Ben, TO-3PF, R6025JNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 600 V N, 3 Ben, TO-3PF, R6030KNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V N, 3 Ben, TO-3PF, R6050JNZ
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6055VNX
- ROHM R6030ENZ N-Channel MOSFET, 30 A, 600 V, 3-Pin TO-3PF R6030ENZC8