STMicroelectronics, MOSFET, 15 A 750 V Förbättring, 4 Ben, Rulle, G-HEMT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

290,10 kr

(exkl. moms)

362,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
20 - 4814,505 kr
50 - 19814,17 kr
200 +14,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-1035P
Tillv. art.nr:
SGT120R65AL
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Serie

G-HEMT

Kapseltyp

Rulle

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics e-mode PowerGaN-transistor kombineras med en väletablerad förpackningsteknik. Den resulterande G-HEMT-enheten ger extremt låga ledningsförluster, hög strömförmåga och ultrasnabb omkopplingsdrift för att möjliggöra hög effekttäthet och oslagbar effektivitet.

Förbättringsläge normalt avstängd transistor

Mycket hög omkopplingshastighet

Hög effekthanteringsförmåga

Extremt låga kapaciteter

Kelvin-källspad för optimal grindstyrning

Noll återhämtningsladdning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.