Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 240 V MOSFET, 3 Ben, TO-92, VN2406

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 påse med 1000 enheter)*

12 257,00 kr

(exkl. moms)

15 321,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per påse*
1000 +12,257 kr12 257,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
264-8944
Tillv. art.nr:
VN2406L-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

240V

Kapseltyp

TO-92

Serie

VN2406

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6Ω

Kanalläge

MOSFET

Maximal effektförlust Pd

1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Relaterade länkar