Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 400 V MOSFET, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 264-8923P
- Tillv. art.nr:
- TN2640K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 206,75 kr
(exkl. moms)
1 508,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 840 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 98 | 24,135 kr |
| 100 - 248 | 21,615 kr |
| 250 - 998 | 21,225 kr |
| 1000 + | 20,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8923P
- Tillv. art.nr:
- TN2640K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold (2.0V max.)
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage