Infineon N Kanal, MOSFET, 3.2 A 30 V Förbättring, 6 Ben, Micro6, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6786
Distrelec artikelnummer:
304-41-683
Tillv. art.nr:
IRLMS1503TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

Micro6

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.7W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons kraft-MOSFET använder avancerade bearbetningstekniker för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. I kombination med den snabba kopplingshastigheten och den robusta konstruktionen som Power MOSFET är välkänd för, ger det konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Ultralåga Rds

N-kanal

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.