Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

11 048,00 kr

(exkl. moms)

13 808,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +13,81 kr11 048,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-5842
Tillv. art.nr:
IPB011N04NF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

201A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Relaterade länkar