Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 262-5842
- Tillv. art.nr:
- IPB011N04NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
13 547,20 kr
(exkl. moms)
16 934,40 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 16,934 kr | 13 547,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-5842
- Tillv. art.nr:
- IPB011N04NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 201A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 201A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 191 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB