ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V N, 8 Ben, HSOP, RS6G100BG

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
260-6155
Tillv. art.nr:
RS6G100BGTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

HSOP

Serie

RS6G100BG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.4mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

59W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM N-kanals effekt-MOSFET har låg påslagningsresistans och har maximal effektförlust på 59 watt. Den levereras i ett litet gjutpaket HSOP8 med hög effekt och används för omkopplingstillämpningar.

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Blyfri plätering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.