Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V N, TO-252, IPD

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

75,26 kr

(exkl. moms)

94,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 028 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1837,63 kr75,26 kr
20 - 4833,935 kr67,87 kr
50 - 9831,585 kr63,17 kr
100 - 19829,68 kr59,36 kr
200 +24,47 kr48,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-5132
Tillv. art.nr:
IPD320N20N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

34A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

IPD

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

32mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons N-kanal optiMOS MOSFET-transistor ger utmärkt grindladdning. Den är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering.

N-kanal, normal nivå

Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.