Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V N, PG-TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 747,50 kr

(exkl. moms)

17 185,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,499 kr13 747,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-5128
Tillv. art.nr:
IPD30N06S2L23ATMA3
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

PG-TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

23mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET-transistor med N-kanal arbetar i förstärkningsläge. Dess maximala effektförlust är 100 W. Denna MOSFET-transistor har ett driftstemperaturområde på -55 °C till 175 °C.

Förbättringsläge för N-kanalen

Ultra låg Rds(on)

100% lavinprovad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.