Infineon N Kanal, MOSFET, 113 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 260-1062
- Tillv. art.nr:
- IPP033N04NF2SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
94,08 kr
(exkl. moms)
117,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 665 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,816 kr | 94,08 kr |
| 50 - 120 | 16,756 kr | 83,78 kr |
| 125 - 245 | 15,836 kr | 79,18 kr |
| 250 - 495 | 14,672 kr | 73,36 kr |
| 500 + | 9,408 kr | 47,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1062
- Tillv. art.nr:
- IPP033N04NF2SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 113A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 107W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.8mm | |
| Bredd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.75mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 113A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 107W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.8mm | ||
Bredd 10.67mm | ||
Höjd 4.75mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET hanterar ett brett spektrum av applikationer från låg till hög omkopplingsfrekvens och har en bred tillgänglighet från distributionspartners till utmärkt pris-prestanda-förhållande.
Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens
Kan användas för våglödning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 113 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 201 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 137 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP AEC-Q101