Infineon N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP

RS-artikelnummer:: 260-1057
Tillv. art.nr:: IPP015N04NF2SAKMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP

Antal (1 rör med 1000 enheter)*

7 365,00 kr

(exkl. moms)

9 206,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 10 juni 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
1000 +	7,365 kr	7 365,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 260-1057
Tillv. art.nr:: IPP015N04NF2SAKMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	193A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	IPP
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Ytmontering
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	860mV
	Maximal effektförlust Pd	188W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	106nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	IEC 61249-2-21, RoHS
	Bredd	10.67mm
	Höjd	4.75mm
	Längd	15.8mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 193A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie IPP
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Ytmontering
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 860mV
	Maximal effektförlust Pd 188W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 106nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS
	Bredd 10.67mm
	Höjd 4.75mm
	Längd 15.8mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPP015N04NF2SAKMA1

Infineon IPP-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 193 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPP015N04NF2SAKMA1

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling och laststyrning i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220-kapsel med genomgående hål som är lämplig för konventionella kylelement- och monteringsmetoder. Enheten överensstämmer med specificerade material- och miljöstandarder och är avsedd för användning där låg ledningsförlust och betydande kontinuerlig strömkapacitet krävs.

Funktioner och fördelar:

• 1,5 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• 188 W effektförlust stöder drift vid långvarig hög belastning
• 0,86 V framspänning minskar spänningsfall under ledning
• 106 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal grindspänning på 20 V bevarar grindens integritet under styrsignaler

Användningsområden

• Lämplig för primära omkopplingssteg för strömförsörjning
• Idealisk för utgångssteg för motordrivenheter som kräver hög ström
• Används med kylelement för industriella omvandlare med hög effekt
• Kan användas för batterihantering i högströmsystem

Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C.

Hur många stift har enheten för kretskortsmontering?

Den har en trepolig konfiguration som är kompatibel med standard TO-220-layouter.

Uppfyller den miljö- eller materialstandarder?

Den uppfyller RoHS-kraven och följer IEC 61249-2-21-specifikationerna.

Vilket kanalledningsläge och -typ använder den?

Det är en N-kanal-enhet med förstärkningsläge.

Vad är den maximala kontinuerliga strömkapaciteten?

Den är specifik för att bära upp till 193 A kontinuerligt.