Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V, 8 Ben, HSOG, IPT
- RS-artikelnummer:
- 259-2740
- Tillv. art.nr:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
69,22 kr
(exkl. moms)
86,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 795 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 69,22 kr |
| 10 - 24 | 62,27 kr |
| 25 - 49 | 58,24 kr |
| 50 - 99 | 53,98 kr |
| 100 + | 49,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-2740
- Tillv. art.nr:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 122A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | HSOG | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.3mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.84V | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bredd | 8.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 122A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp HSOG | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.3mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.84V | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bredd 8.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 industriella effekt-MOSFET-enheter i 80 V och 100 V är utformade för synkron likriktelse i telekom- och serverströmförsörjningstillämpningar, men också det idealiska valet för andra tillämpningar som solenergi, lågspänningsenheter och bärbar datoradapter. Med en bred paketportfölj erbjuder denna familj av effekt-MOSFET branschens lägsta RDS(on). En av de största bidragsgivarna till denna branschledande meritfaktor (FOM) är den låga påslagningsresistansen med ett värde så lågt som 2,7 mΩ i SuperSO8-kapseln, vilket ger den högsta nivån av effekttäthet och effektivitet.
N-kanal, normal nivå
Mycket låg på-resistans RDS(on)
Överlägsen värmebeständighet
100 % avalanche-testade
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-22
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V, 8 Ben, HSOG, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 150 V, 8 Ben, HSOG, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V, 16 Ben, HDSOP, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 212 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 297 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOG-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 150 V, 8 Ben, TOLG, IPT