Infineon N Kanal, MOSFET, 315 A 100 V Förbättring, HSOF, IPT

Denna MOSFET är en N-kanaltransistor med hög effekt som är utformad för ytmonteringstillämpningar där robust omkoppling och bred temperaturtålighet krävs. Den fungerar över ett omfattande temperaturområde och är avsedd för system som kräver betydande kontinuerlig strömhantering samtidigt som låga ledningsförluster upprätthålls. Enheten levereras i ett värmeavledande HSOF-paket som är lämpligt för integrering på kortnivå med hög strömstyrka.

• 1.50 mΩ Rds(on) möjliggör minskade ledningsförluster
• 315 A kontinuerlig dräneringsström som stöder tunga laster
• 100 V Vds möjliggör omkopplingsuppgifter med högre spänning
• 1,2 V framspänning som förbättrar ledningseffektiviteten
• -55 °C till +175 °C driftområde möjliggör tuffa miljöer

• Lämplig för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i elrack
• Används med strömfördelningsenheter på kort
• Kan användas för högeffektsomkoppling i industriella system
• Lämplig för kompakta ytmonterade layouter med värmesänkning

Den levereras i en HSOF-kapsel utformad för förbättrad värmeöverföring till externa renare.

Enheten är avsedd för ytmontering för att möjliggöra kortlayout med låg induktans.

Den använder en N-kanalkonfiguration med förstärkningsläge för kontrollerad omkoppling.

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder men överensstämmer med RoHS-kraven.