Infineon Typ P Kanal, IR MOSFET, -4 A -30 V Dubbel, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-8196
- Tillv. art.nr:
- IRF7306TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
125,55 kr
(exkl. moms)
156,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 970 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,555 kr | 125,55 kr |
| 50 - 90 | 12,309 kr | 123,09 kr |
| 100 - 490 | 9,755 kr | 97,55 kr |
| 500 - 1990 | 8,109 kr | 81,09 kr |
| 2000 + | 6,194 kr | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-8196
- Tillv. art.nr:
- IRF7306TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | IR MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Dubbel | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp IR MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Dubbel | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, IR MOSFET, -4 A -30 V Dubbel, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 5 A, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET