Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V N, TDSON, IPD

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 482,50 kr

(exkl. moms)

10 602,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,393 kr8 482,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-7080
Tillv. art.nr:
IPD30N03S2L20ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TDSON

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Kanalläge

N

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOS effekttransistor har lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet. Den har optimerad total grindladdning som möjliggör mindre drivutgångssteg. Den har också robusta kapslingar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.

Godkänd enligt AEC Q101 för fordon

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Grön förpackning

100 procent Avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.