Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V N, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 258-3837
- Tillv. art.nr:
- IPD220N06L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
88,59 kr
(exkl. moms)
110,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 295 enhet(er) från den 05 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,718 kr | 88,59 kr |
| 50 - 120 | 15,612 kr | 78,06 kr |
| 125 - 245 | 14,516 kr | 72,58 kr |
| 250 - 495 | 13,574 kr | 67,87 kr |
| 500 + | 12,388 kr | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3837
- Tillv. art.nr:
- IPD220N06L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 39.80mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 39.80mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPD-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 30 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD220N06L3GATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den kombinerar en måttlig spänning med betydande kontinuerlig strömkapacitet, vilket gör den lämplig för tillämpningar som behöver effektiv ledning och kompakt montering. Enheten uppfyller RoHS-standarder och erbjuds i en TO‐252-kapsel för enkel kretskortsmontering.
Funktioner och fördelar:
• 39,8 mΩ RDS(on) ger minskade ledningsförluster
• 1,2 V framspänning möjliggör effektiv gate-driven omkoppling
• Arbetsområde -55 °C till +175 °C som stöder ett brett temperaturområde
• 60 V drain-source-klassning möjliggör robust spänningshuvudutrymme
• Kontinuerlig dräneringsström på 30 A som stöder höga strömbelastningar
• 1,2 V framspänning möjliggör effektiv gate-driven omkoppling
• Arbetsområde -55 °C till +175 °C som stöder ett brett temperaturområde
• 60 V drain-source-klassning möjliggör robust spänningshuvudutrymme
• Kontinuerlig dräneringsström på 30 A som stöder höga strömbelastningar
Användningsområden
• Lämplig för DC-strömfördelningsmoduler
• Idealisk för omkopplingssteg för motordrivare
• Används med batterihanteringskretsar som kräver ytmontering
• Kan användas för synkronlikriktelse i omvandlare
• Passar för omkoppling av högströmslaster på kompakta kretskort
• Idealisk för omkopplingssteg för motordrivare
• Används med batterihanteringskretsar som kräver ytmontering
• Kan användas för synkronlikriktelse i omvandlare
• Passar för omkoppling av högströmslaster på kompakta kretskort
Vilken typ av förpackning finns för montering på kretskort?
Enheten levereras i en TO‐252-förpackning för ytmontering som är lämplig för omsmältningsprocesser.
Vilken kanalpolaritet använder den för styrkretsar?
Den använder en N-kanalkonfiguration för switchingtopologier på låg- eller hög-sidan beroende på kretsdesign.
Är den avsedd för fordonskvalificering?
Den är inte utsedd som en enhet enligt fordonsstandard men uppfyller RoHS-miljökraven.
Vilken monteringsstil är lämplig för denna komponent?
Transistorn är avsedd för ytmontering för att möjliggöra kortlayouter med låg profil.
Vad är den maximala driftstemperaturen?
Komponenten är klassad för drift upp till +175 °C.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.9 A N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18.1 A N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.7 A N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 1.5 A N, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A P, TO-252, IPD