Infineon N Kanal, MOSFET, 122 A 30 V N, 8 Ben, TO-220, BSC

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

13 330,00 kr

(exkl. moms)

16 660,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +2,666 kr13 330,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-7001
Tillv. art.nr:
BSC030N03LSGATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

122A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

BSC

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

N

Maximal effektförlust Pd

69W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

5.35mm

Längd

6.35mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons OptiMOS 3-effekt-MOSFET har ultralåg grind- och utgångsladdning, tillsammans med lägsta påslagningsresistans i små kapslingar, vilket gör den till det bästa valet för de krävande kraven på spänningsregulatorlösningar i servrar, datakommunikation och telekomtillämpningar.

Ultralåg grind- och utgångsladdning

Lägsta on-state-resistans i paket med litet fotavtryck

Överlägsen värmebeständighet

Avalanche-klassad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.