Infineon N Kanal, MOSFET, 82 A 100 V N, 8 Ben, WSON, BSC
- RS-artikelnummer:
- 258-0690
- Tillv. art.nr:
- BSC070N10NS5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
23,63 kr
(exkl. moms)
29,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 000 enhet(er) levereras från den 29 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 11,815 kr | 23,63 kr |
| 20 - 48 | 10,695 kr | 21,39 kr |
| 50 - 98 | 9,97 kr | 19,94 kr |
| 100 - 198 | 9,80 kr | 19,60 kr |
| 200 + | 9,69 kr | 19,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0690
- Tillv. art.nr:
- BSC070N10NS5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 82A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | WSON | |
| Serie | BSC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 82A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp WSON | ||
Serie BSC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET i SuperSO8 DSC-paket erbjuder alla värmehanteringsfördelar av dubbelsidiga kyllösningar med industristandardfotavtryck. SuperSO8 DSC möjliggör utmärkta termiska prestanda med två vägar för värmeavledning. Omkring 30 % av värmen som genereras på MOSFET-insatsen överförs genom toppen och mindre värme överförs till kretskortet.
Lägre ledningsförluster och omkopplingsförluster för högre systemeffektivitet
Förbättrad värmeavledning för hög effekttäthet och förbättrad tillförlitlighet
Överlägsen effekthanteringskapacitet och robusthet för längre livslängd
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 100 V N, 8 Ben, WSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 60 V N, 8 Ben, WSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 120 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC