Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 258-3899
- Tillv. art.nr:
- IPP65R095C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
69,10 kr
(exkl. moms)
86,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 79 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 69,10 kr |
| 10 - 24 | 67,31 kr |
| 25 - 49 | 65,41 kr |
| 50 - 99 | 63,62 kr |
| 100 + | 62,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3899
- Tillv. art.nr:
- IPP65R095C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 128W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 128W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS är en evolutionär teknik för högspännings-Effekt-MOSFET, utformad enligt superförbindningsprincipen och pionjär av Infineon Technologies. CoolMOS C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. Produktportföljen ger alla fördelar med offset-switchande superkopplings-MOSFET-transistorer som ger bättre effektivitet, minskad grindladdning, enkel implementering och enastående tillförlitlighet.
Lägre grindladdning Qg
Utrymmesbesparande genom användning av mindre förpackningar eller minskning av delar
Lägsta ledningsförluster/förpackning
Låga omkopplingsförluster
Bättre effektivitet vid lätt belastning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A 500 V, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 194 A 60 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 198 A 60 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 119 A 60 V, 3 Ben, TO-220, IPP