Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V N, TDSON, IPL
- RS-artikelnummer:
- 258-3886
- Tillv. art.nr:
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
34 155,00 kr
(exkl. moms)
42 695,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 6,831 kr | 34 155,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3886
- Tillv. art.nr:
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | IPL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie IPL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOS PFD7 superkopplings-MOSFET kompletterar CoolMOS 7-erbjudandet för konsumenttillämpningar. CoolMOS PFD7 superjunction MOSFET i ett ThinPAK 5x6-paket har RDS(on) på 360 mOhm vilket leder till låga omkopplingsförluster. Denna förpackning kännetecknas av ett mycket litet fotavtryck på 5 x 6 mm 2 och en mycket låg profil med en höjd på 1 mm. Tillsammans med sin jämförelse med låg parasitisk effekt leder dessa funktioner till betydligt mindre formfaktorer och bidrar till att öka effekttätheten. CoolMOS PFD7-produkterna levereras med en snabb kroppsdiod som säkerställer en robust enhet och i sin tur minskad materialförbrukning för kunden.
Integrerad robust snabb kroppsdiod
Upp till 2 kV ESD-skydd
Utmärkt motståndskraft vid kommutering
Låg EMI
Minskade BOM-kostnader och enkel tillverkning
Robusthet och tillförlitlighet
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av design
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V N, TDSON, IPL
- Infineon, MOSFET, 14 A 650 V, TDSON, IPL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V N, TDSON, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V N, TDSON, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 58 A 100 V N, TDSON, iPB