Infineon N Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 258-3791
- Tillv. art.nr:
- IPB032N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
50,40 kr
(exkl. moms)
63,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 50,40 kr |
| 10 - 24 | 47,94 kr |
| 25 - 49 | 46,93 kr |
| 50 - 99 | 43,79 kr |
| 100 + | 40,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3791
- Tillv. art.nr:
- IPB032N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 166A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 187W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 166A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 187W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET är speciellt utformad för synkron likriktelse i telekomblock inklusive Or-ing, hot-swap och batteriskydd samt för serverströmförsörjningstillämpningar. Enheten har en lägre RDS(on) på 22 % jämfört med liknande enheter, en av de största bidragsgivarna till denna branschledande FOM är det låga motståndet i påläge som ger den högsta nivån av effekttäthet och effektivitet.
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Låg spänningsöverspänning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 166 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V N, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 120 V N, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 72 A 220 V N, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 211 A 650 V N, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22.4 A 700 V N, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 94 A 80 V N, TO-263, iPB