Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

30 910,00 kr

(exkl. moms)

38 640,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +6,182 kr30 910,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-0907
Tillv. art.nr:
IAUC100N04S6N015ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TDSON

Serie

IAUC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Maximal effektförlust Pd

100W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

>

N-kanal – förstärkningsläge – normal nivå

AEC Q101-kvalificerade

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.