Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Antal 2 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

30,74 kr

(exkl. moms)

38,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 776 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
2 +15,37 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0721P
Tillv. art.nr:
BSZ215CHXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

BSZ

Kapseltyp

TSDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

15mΩ

Kanalläge

Dubbel

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons kompletterande effekt-MOSFET – en n-kanal och en p-kanal effekt-MOSFET i samma kapsel – är en del av berömda OptiMOS-lågspänningsfamiljer, marknadsledande inom högeffektiva lösningar för strömgenerering, strömförsörjning och strömförbrukning.

Kompletterande p- + n-kanal

Förbättringsläge

Avalanche-klassad

Kvalificerad enligt AEC Q101

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.