Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ

RS-artikelnummer:: 258-0720
Tillv. art.nr:: BSZ215CHXTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

29 100,00 kr

(exkl. moms)

36 400,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 05 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	5,82 kr	29 100,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-0720
Tillv. art.nr:: BSZ215CHXTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Serie	BSZ
	Kapseltyp	TSDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	150mΩ
	Kanalläge	Dubbel
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	700mV
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Serie BSZ
	Kapseltyp TSDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 150mΩ
	Kanalläge Dubbel
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 700mV
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ215CHXTMA1

Infineon BSZ-serien MOSFET, 20 V maximal drain-source-spänning, 5,1 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ215CHXTMA1

Denna dubbelkanaliga MOSFET kombinerar P- och N-kanalselement i ett kompakt ytmonterat paket för strömomkopplings- och hanteringsuppgifter. Utformad för montering på kortnivå, fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar där båda polaritetskanalerna krävs i en enda enhet samtidigt som RoHS-direktiven följs.

Funktioner och fördelar:

• Lågt avtappnings- och källmotstånd minskar ledningsförluster
• Tvåkanaligt arrangemang möjliggör kompletterande omkopplingsfunktioner
• TSDSON 8-stifts ytmontering underlättar placering av kretskort med hög densitet
• 0,7 V framspänning minimerar grinddrivningens överhettning
• Bred temperaturtolerans stöder tuffa termiska miljöer

Användningsområden

• Lämplig för DC-strömfördelningsmoduler i kompakta system
• Idealisk för kompletterande halvbrygga på enskilda kort
• Används för grinddrivare och lastomkoppling i styrningselektronik
• Kan användas för värmestabila konstruktioner som arbetar i extrema förhållanden

Vilket är det maximala omgivningstemperaturområdet den kan hantera?

Den är specifik för drift upp till en maximal temperatur på +175 °C.

Hur stöder enheten omkoppling med låga förluster?

Enheten har ett maximalt drain-source-motstånd på 150 mΩ, vilket minskar ledningsförlusterna vid drift med hög ström.

Vilket antal stift och vilken monteringsstil bör designers förvänta sig?

Komponenten levereras i en 8-stifts TSDSON-kapsel konfigurerad för ytmontering.

Finns båda kanalpolariteterna i samma förpackning?

Ja, komponenten integrerar både P-kanal och N-kanal MOSFET för kompletterande kretsdesigner.

Är enheten lämplig för fordonsspecifikationer?

Den är inte utsedd som en del enligt fordonsstandard men överensstämmer med RoHS-miljöbegränsningar.