Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -40 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0719
- Tillv. art.nr:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
58,58 kr
(exkl. moms)
73,225 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 190 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 11,716 kr | 58,58 kr |
| 50 - 120 | 10,326 kr | 51,63 kr |
| 125 - 245 | 9,632 kr | 48,16 kr |
| 250 - 495 | 8,916 kr | 44,58 kr |
| 500 + | 8,31 kr | 41,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0719
- Tillv. art.nr:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | BSZ | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie BSZ | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons mycket innovativa OptiMOS-familjer inkluderar p-kanals effekt-MOSFET:er. Dessa produkter uppfyller konsekvent de högsta kvalitets- och prestandakraven i nyckelspecifikationer för kraftsystemutformning, t.ex. påslagningsresistans och meritfaktor.
Förbättringsläge
Normal nivå, logiknivå eller superlogiknivå
Avalanche-klassad
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -40 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 212 A 40 V P, 8 Ben, PQFN, BSZ
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 20 A 40 V P, TDSON, IPG
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.5 A 30 V P, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 78.6 A 30 V P, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 136 A 60 V P, TDSON, IPI
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ