Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -40 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0719
- Tillv. art.nr:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 11%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
58,58 kr
(exkl. moms)
73,23 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 185 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 11,716 kr | 58,58 kr | - |
| 50 - 120 | 10,326 kr | 51,63 kr | 11% |
| 125 - 245 | 9,632 kr | 48,16 kr | 17% |
| 250 - 495 | 8,916 kr | 44,58 kr | 23% |
| 500 + | 8,31 kr | 41,55 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0719
- Tillv. art.nr:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSZ-serien MOSFET, 30 V drain-source-spänning, 40 A kontinuerlig drain-ström – BSZ120P03NS3GATMA1
Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad transistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde och överensstämmer med specificerade material- och miljöstandarder, vilket gör den lämplig för elektroniska tillämpningar som kräver kontrollerad strömhantering och kompakt förpackning.
Funktioner och fördelar:
• Låg Rds(on) på 12 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• 52 W effektförlust möjliggör högre värmekapacitet
• 30 nC grindladdning stöder snabbare omkopplingsprestanda
• ±25 V gate-tolerans möjliggör flexibla gate-drivkonstruktioner
• Surface TDSON-paket underlättar tät kretskortslayout
• 52 W effektförlust möjliggör högre värmekapacitet
• 30 nC grindladdning stöder snabbare omkopplingsprestanda
• ±25 V gate-tolerans möjliggör flexibla gate-drivkonstruktioner
• Surface TDSON-paket underlättar tät kretskortslayout
Användningsområden
• Lämplig för omkopplingskretsar med hög polaritet
• Idealisk för skydd av kraftskenor och belastningsswitchning
• Används med motorstyrsteg som kräver P-kanal-enheter
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
• Idealisk för skydd av kraftskenor och belastningsswitchning
• Används med motorstyrsteg som kräver P-kanal-enheter
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler
Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?
Den fungerar från -55 °C upp till 150 °C för bred termisk marginal.
Hur påverkar antalet stiftmarker kretskortsroten?
Åtta stift möjliggör distinkt dränerings-, käll- och grindanslutning för säker termisk och elektrisk ledning.
Vilken standard reglerar materialets specifikation?
Den uppfyller IEC 61249-2-21 för krav på tryckta kretskortmaterial.
Är den lämplig för fordonskvalificering?
Den är inte klassad som en komponent av fordonskvalitet.
Vilket miljödirektiv uppfyller den när det gäller farliga ämnen?
Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar innehållet av farliga ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -40 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.5 A 30 V P, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 5.10 A +20 V P, 8 Ben, PQFN, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -78.60 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Dubbel, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS P
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 20 A 40 V P, TDSON, IPG
- Infineon N Kanal, MOSFET, 136 A 60 V P, TDSON, IPI