Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9325
- Tillv. art.nr:
- IRF8010PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
772,80 kr
(exkl. moms)
966,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 15,456 kr | 772,80 kr |
| 100 - 200 | 12,983 kr | 649,15 kr |
| 250 - 450 | 12,365 kr | 618,25 kr |
| 500 - 950 | 11,285 kr | 564,25 kr |
| 1000 + | 10,819 kr | 540,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9325
- Tillv. art.nr:
- IRF8010PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 100 V-effektmosfet med en n-kanal i en TO 220-kapsel. IR mosfet-familjen av effektmosfeter bygger på beprövade kiselprocesser och erbjuder konstruktörer en bred portfölj av enheter för olika applikationer som likströmsmotorer, inverterare, SMPS, belysning, lastbrytare och batteridrivna applikationer. Enheterna finns i en mängd olika ytmonterade och genomgående hål med industristandardiserade fotavtryck som underlättar konstruktionen.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Industriellt standardpaket med genomgående hål
Högströmsklassning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 185 A, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 340 A 40 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V, TO-220, HEXFET