Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 162 A 40 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9274P
- Tillv. art.nr:
- IRF1404STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
647,40 kr
(exkl. moms)
809,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 722 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 20 - 48 | 32,37 kr |
| 50 - 98 | 30,63 kr |
| 100 - 198 | 28,225 kr |
| 200 + | 26,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9274P
- Tillv. art.nr:
- IRF1404STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 162A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 162A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 40V enkel n-kanals HEXFET effektmossfet i D2 Pak-förpackning.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Optimerad för 10 V gate drive-spänning (kallas normal nivå)
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Kapsling för hög strömstyrka (upp till 195 A, beroende på kapselstorlek)
Kan våglödas