Infineon N Kanal, MOSFET, 362 A 40 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5558
- Tillv. art.nr:
- IRFS7434TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
15 052,80 kr
(exkl. moms)
18 816,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 18,816 kr | 15 052,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5558
- Tillv. art.nr:
- IRFS7434TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 362A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 362A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har förbättrad gate-, avalanche- och dynamisk dV/dt-robusthet och fullt karakteriserad kapacitans och avalanche SOA.
Fullt karakteriserad kapacitet och Avalanche SOA
Förbättrad kroppsdiod dV/dt och dI/dt
Blyfri kapacitet, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 362 A 40 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 162 A 40 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 131 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-263, HEXFET