Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 362 A 40 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5558
- Tillv. art.nr:
- IRFS7434TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
9 032,00 kr
(exkl. moms)
11 288,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 11,29 kr | 9 032,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5558
- Tillv. art.nr:
- IRFS7434TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 362A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 362A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt
Capability Lead-Free, RoHS Compliant
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 362 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 24 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 131 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 162 A 40 V HEXFET