Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- RS-artikelnummer:
- 256-7385
- Tillv. art.nr:
- SI7232DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
80,64 kr
(exkl. moms)
100,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,128 kr | 80,64 kr |
| 50 - 95 | 14,538 kr | 72,69 kr |
| 100 - 245 | 14,224 kr | 71,12 kr |
| 250 - 995 | 13,956 kr | 69,78 kr |
| 1000 + | 10,058 kr | 50,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7385
- Tillv. art.nr:
- SI7232DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.024Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.024Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Semiconductor N-Ch powerPAK mosfet har blyfri (Pb) och halogenfri och dess tillämpningar är DC, DC, strömförsörjning för bärbara datorer, POL.
TrenchFET Power Mosfet
Drain-source-spänning VDS 20
Gate-källspänning VGS ± 8
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 69.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 24.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 7 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, SISS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN