Vishay N Kanal, MOSFET, -2.4 A -60 V, 8 Ben, SOIC, Si4948BEY

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

94,08 kr

(exkl. moms)

117,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 075 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4518,816 kr94,08 kr
50 - 9518,234 kr91,17 kr
100 - 24515,434 kr77,17 kr
250 - 99515,142 kr75,71 kr
1000 +11,044 kr55,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-7363
Tillv. art.nr:
SI4948BEY-T1-E3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-2.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

-60V

Kapseltyp

SOIC

Serie

Si4948BEY

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.15Ω

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Höjd

1.75mm

Fordonsstandard

Nej

Si4948BEY-serien MOSFET från Vishay, 60 V maximal drain-källspänning, 2,4 A maximal kontinuerlig drain-ström - SI4948BEY-T1-E3


Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad transistor som är utformad för omkopplings- och analoga funktioner i kompakta elektroniska enheter. Den är avsedd för tillämpningar som kräver måttlig strömhantering och spänningsblockering i ett halvledarpaket som monteras direkt på kretskortet. Enheten fungerar över ett brett temperaturområde och uppfyller vanliga elektronikmaterialstandarder, vilket gör den lämplig för användning i krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:


• Låg påslagningsresistans på 0.15 Ω ger minskade ledningsförluster
• Blockeringskapacitet 60 V för omkoppling vid medelspänning
• Kontinuerlig avtappningsström 2.4 A för hållbar belastningshantering
• Grinddrivartolerans 20 V möjliggör flexibla styrspänningar
• Typisk grindladdning 14.5 nC för förutsägbart omkopplingsbeteende
• Effektförlust på 1.4 W som stöder måttliga termiska belastningar

Användningsområden


• Lämplig för omkoppling av strömskenlaster i konsumentelektronik
• Idealisk för omkopplingsomkopplare med omvänd polaritet eller hög sida
• Används med kompakta DC/DC-omvandlare i kort med begränsat utrymme
• Kan användas för batteriskydd och energistyrningskretsar
• Lämplig för styrning av signalnivå i industriella moduler

Vilket paket och antal stift ska jag planera för på kretskortet?


Komponenten levereras i ett 8-stifts SOIC-paket avsett för ytmontering, så fotavtryck bör matcha standard 8-stifts SOIC-jordmönster för tillförlitliga lödfogar.

Hur fungerar den i extrema temperaturer?


Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i monteringar som upplever förhöjda kopplingstemperaturer eller kalla startförhållanden.

Vilken framåtvänd spänningsegenskap är relevant för beräkning av kretsmarginaler?


Enheten uppvisar en framspänning på -1,2 V under förhållanden som är relevanta för dess ledningsväg, vilket kan användas vid uppskattning av spänningsfall i strömvägar.

Finns det material- eller miljöstandarder som är tillämpliga på upphandling?


Delarna överensstämmer med RoHS 2002/95/EG och följer IEC 61249-2-21-riktlinjerna för relevanta material och sammansättning.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.