Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -2 A -20 V, 6 Ben, SC-70, SI1427EDH

RS-artikelnummer:: 256-7341
Tillv. art.nr:: SI1427EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -2 A -20 V, 6 Ben, SC-70, SI1427EDH

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 256-7341
Tillv. art.nr:: SI1427EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-20V
	Kapseltyp	SC-70
	Serie	SI1427EDH
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	0.165Ω
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	8V
	Maximal effektförlust Pd	2.8W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	7.6nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Höjd	1.1mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -2A
	Maximal källspänning för dränering Vds -20V
	Kapseltyp SC-70
	Serie SI1427EDH
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 0.165Ω
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V
	Maximal effektförlust Pd 2.8W
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.6nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Höjd 1.1mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SI1427EDH-T1-GE3

Vishay SI1427EDH-serien MOSFET, 20 V maximal drain-källspänning, 2 A maximal kontinuerlig drain-ström - SI1427EDH-T1-GE3

Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad halvledare avsedd för omkopplings- och strömhanteringsroller i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande förhållanden och levereras i en lågprofilsförpackning för kortkonstruktioner med begränsat utrymme.

Funktioner och fördelar:

• Låg Rds(on) på 0,165 Ω för minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig avtappningsström på 2 A för omkoppling med medelhög effekt
• Drain-source-spänning på 20 V möjliggör lågspänningssystem
• Typisk grindladdning 7,6 nC för förutsägbar omkopplingsprestanda
• Förspänning på -1,2 V minimerar spänningsfall under ledning
• RoHS-kompatibel för användning i reglerade tillverkningsmiljöer

Användningsområden

• Lämplig för batteriskydd och lastomkopplarkretsar
• Idealisk för strömförsörjningsvägar för handhållna och bärbara enheter
• Används med DC/DC-omvandlare i kompakta enheter
• Kan användas för att blockera omvänd ström i strömskenor
• Lämplig för lågspänningsgrindarrangemang för motorstyrning

Vilka förpackningsaspekter påverkar kortets layout?

Den levereras i ett SC-70-paket med sex stift, vilket möjliggör snäva padar och enkel omsmältningslödning för täta ytmonteringsdesigner.

Hur påverkar den termiska prestandan kylkraven?

Den maximala effektförlusten är 2,8 W, så kopparytan på kretskortet och de termiska vägarna bör vara dimensionerade för att avlägsna värme när de arbetar nära denna förlustnivå.

Vilka grindbegränsningar måste konstruktörer observera?

Grinden får inte överstiga 8 V i förhållande till källan för att undvika att skada enheten, och den typiska grindladdningen på 7,6 nC styr val av drivare.

Hur klarar enheten extrema omgivningsförhållanden?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning där stor värmebeständighet krävs.