Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 256-7327
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-860
- Tillv. art.nr:
- IRL640PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
168,67 kr
(exkl. moms)
210,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 33,734 kr | 168,67 kr |
| 10 - 20 | 30,218 kr | 151,09 kr |
| 25 - 95 | 29,658 kr | 148,29 kr |
| 100 - 495 | 24,372 kr | 121,86 kr |
| 500 + | 19,578 kr | 97,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7327
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-860
- Tillv. art.nr:
- IRL640PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.028Ω | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.028Ω | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Semiconductors tredje generationens effektmosfet ger konstruktören den bästa kombinationen av snabb switchning, robust konstruktion, låg on-resistans och kostnadseffektivitet. TO-220AB-paketet är allmänt föredraget för alla kommersiella och industriella applikationer med effektförluster på upp till ca 50 W. Det låga termiska motståndet och den låga kostnaden för TO-220AB-paketet bidrar till att det accepteras i hela industrin.
Dynamisk dV/dt-klassning
Upprepade laviner klassade
Logic-Level Gate Drive
Snabbväxlande
Enkel synkronisering
Enkla drivningskrav
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, 3 Ben, TO-220
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, LogicFET