Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 256-7291
- Tillv. art.nr:
- IRFI9530GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
156,58 kr
(exkl. moms)
195,73 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 705 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 31,316 kr | 156,58 kr |
| 10 - 20 | 30,33 kr | 151,65 kr |
| 25 - 95 | 25,58 kr | 127,90 kr |
| 100 - 495 | 20,81 kr | 104,05 kr |
| 500 + | 18,324 kr | 91,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7291
- Tillv. art.nr:
- IRFI9530GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.3Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.3Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Semiconductors tredje generationens effektmosfet ger designern den bästa kombinationen av snabb switchning, robust enhetsdesign, låg påslagningsresistans och kostnadseffektivitet. TO-220 FULLPAK eliminerar behovet av ytterligare isolerande hårdvara i kommersiella industriella tillämpningar. Den använda gjutningsmassa ger en hög isoleringskapacitet och ett lågt termiskt motstånd mellan fliken och det externa kylelementet.
Isolerat hölje
Högspänningsisolering är 2,5 kVRMS
Krypavståndet från kolv till ledare är 4,8 mm
Dynamisk dV/dt-klassning
Låg värmeresistans
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 24.8 A P, TO-220, IPA
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V, 3 Ben, TO-252
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben, TO-252
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF9530
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF