ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 750 V Förbättring, 4 Ben, TO-247 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

184,13 kr

(exkl. moms)

230,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 424 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9184,13 kr
10 - 24168,22 kr
25 - 49163,74 kr
50 - 99160,38 kr
100 +147,28 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
255-7721
Tillv. art.nr:
SCT4026DRHRC15
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

TO-247

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

104W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHMs SiC-effekt-MOSFET med N-kanal i fordonskvalitet är en AEC-Q101-kvalificerad produkt. Denna effekt-MOSFET är tillämplig i en bil och switchade nätaggregat. Den är blyfri plätering och är RoHS-kompatibel.

Låg på-resistans

Snabb kopplingshastighet

Snabb omvänd återhämtning

Enkel att parallellkoppla

Enkel att driva

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.