DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8665
- Tillv. art.nr:
- DMTH15H017SPSWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
105,67 kr
(exkl. moms)
132,09 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,134 kr | 105,67 kr |
| 50 - 95 | 19,958 kr | 99,79 kr |
| 100 - 245 | 18,502 kr | 92,51 kr |
| 250 - 995 | 18,122 kr | 90,61 kr |
| 1000 + | 12,32 kr | 61,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8665
- Tillv. art.nr:
- DMTH15H017SPSWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.4mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PowerDI5060-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.4mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Den är tillämplig i DC-till-DC-omvandlare och motorer
Låg påslagningsresistans
Hög konverteringseffektivitet
Låg ingångskapacitans
Halogen- och antimonfritt
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP4015SPS AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 69.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101