DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8656
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H032LFVWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
63,45 kr
(exkl. moms)
79,31 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 240 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,345 kr | 63,45 kr |
| 50 - 90 | 6,227 kr | 62,27 kr |
| 100 - 240 | 5,163 kr | 51,63 kr |
| 250 - 990 | 5,04 kr | 50,40 kr |
| 1000 + | 4,906 kr | 49,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8656
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H032LFVWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerDI3333-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerDI3333-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, stöds av en PPAP, och är idealisk för användning i bakgrundsbelysning, DC-till-DC-omvandlare och strömhanteringsfunktioner
Låg påslagningsresistans
Våt bordsflank för förbättrad optisk inspektion
Låga omkopplingsförluster
Halogen- och antimonfritt
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 49.1 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 41 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -10.3 A -60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMP6023LFG AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101