DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8613
- Tillv. art.nr:
- DMN4060SVTQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 254-8613
- Tillv. art.nr:
- DMN4060SVTQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | TSOT-26 | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp TSOT-26 | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, stöds av en PPAP, och är idealisk för användning i bakgrundsbelysning, DC-till-DC-omvandlare och strömhanteringsfunktioner
Låg påslagningsresistans
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Halogen- och antimonfri
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-220 AEC-Q101