onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-7670
- Tillv. art.nr:
- NTH4L025N065SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
225,79 kr
(exkl. moms)
282,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 440 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 225,79 kr |
| 10 - 99 | 194,66 kr |
| 100 + | 168,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-7670
- Tillv. art.nr:
- NTH4L025N065SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 164nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 117W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 164nC | ||
Maximal effektförlust Pd 117W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Kiselkarbid (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
ON Semiconductor NTH-serien av en silikonkarbidmosfet använder en helt ny teknik som ger överlägsen omkopplingsprestanda och högre tillförlitlighet jämfört med kisel. Dessutom med låg påslagningsresistans och kompakt chipstorlek. Det säkerställer en låg kapacitans och grindladdning. Följaktligen inkluderar systemfördelarna högsta effektivitet, snabbare driftfrekvens, ökad effekttäthet, minskad EMI och minskad systemstorlek.
Används inom telekommunikation
Ultralåg grindladdning
Höghastighetsomkoppling och låg kapacitans
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 84 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH